ICPプラズマエッチング装置 SERIO
最終更新日2011/03/31
ICPプラズマエッチング装置 SERIO 基本情報
【特長】
１．独自プロセス採用により、エッチング側壁のスキャロップ現象を抑制
２．高い垂直性を実現（実力値90°±2°）
３．エッチングテーパー角度の制御が可能
４．開口率の高いパターンにも対応
【装置仕様】
処理ｃサイズ：φ4インチ、φ6インチ
真空性能：到達圧力 10×10−4Pa以下
プロセスガス：5系統
エッチング対象物：Si、石英、SiO2、SiN、SiC 他
排気系：ドライポンプ＋ターボ分子ポンプ
装置本体寸法：W660×D1600×H1550mm
| 価格 | - |
|---|---|
| 価格帯 | その他 |
| 納期 | |
| 発売日 | 取扱い中 |
| 型番・ブランド名 | SERIO |
| 用途／実績例 | ナノインプリント分野（ナノモールド製造） 記憶メディア（磁気記憶媒体・次世代光ディスク） 半導体分野（電子＆光デバイス・導光板・光学レンズ） 太陽電池関連 |
