I.P.Sの技術が次世代半導体レーザーに
超小型単一周波数半導体レーザー 「I.P.S」は、超小型ハイブリッド外部共振器構造により、従来にない発信波長幅の安定性と温度変化に対する波長ドリフトを極限までおさえています。
【特徴】
○空間出力、ファイバー出力を選択可能
○超小型ハイブリッド外部共振器レーザー(HECL)技術により
半導体レーザーに数々の可能性が生まれた
○狭帯域半導体レーザーの使用用途に合わせ数々のパッケージを用意
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
【ラインナップ】
○638nm,633nm単一周波数レーザー
→超小型・高出力・低消費電力と3拍子揃った半導体レーザー
○安定化He-Neガスレーザー・He-Neガスレーザーの置換えに最適
○高出力785nmレーザー
→レーザー冷却・ラマン分光等に最適の高出力785nmレーザー
○785nm組込ラマンプローブ
→785nm,100mWが組み込まれ、光学系、ラマンフィルターを
装備しており200μmコアファイバーをコネクターで
分光器につなぐだけでラマン信号が取り込める
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○638nm,633nm単一周波数レーザー
→超小型・高出力・低消費電力と3拍子揃った半導体レーザー
○安定化He-Neガスレーザー・He-Neガスレーザーの置換えに最適
○高出力785nmレーザー
→レーザー冷却・ラマン分光等に最適の高出力785nmレーザー
○785nm組込ラマンプローブ
→785nm,100mWが組み込まれ、光学系、ラマンフィルターを
装備しており200μmコアファイバーをコネクターで
分光器につなぐだけでラマン信号が取り込める
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オーテックス株式会社