【仕様】
電子照射系
二次電子分解能:3nm(25kV、10pA)
オージェ分析時の最小プローブ径:8nm(25kV、1nA)
電子銃:ショットキー電界放出形
加速電圧:0.5~30kV
プローブ電流:10-11~2×10-7A
倍率:25~500,000倍
※詳細はPDFをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
電子照射系
二次電子分解能:3nm(25kV、10pA)
オージェ分析時の最小プローブ径:8nm(25kV、1nA)
電子銃:ショットキー電界放出形
加速電圧:0.5~30kV
プローブ電流:10-11~2×10-7A
倍率:25~500,000倍
※詳細はPDFをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。