クロスライトソフトウェアインク日本支社

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半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能＜多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布 ■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■FDTDインターフェイス ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード　もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
PICS3D(Fabry-Perot Edition)

＜主な特徴＞ ■２次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト ■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能 ■有限要素計算のメッシュも２次元で設定するため収束がよりスムーズ＜多様な物理モデルや機能＞ ■光出力-電流（L-I）特性 ■電流-電圧（I-V）特性 ■２次元ポテンシャル、電場、電流分布 ■電子とホール密度の２次元分布 ■様々なバイアス条件の下でのバンド図 ■半導体中の深いレベルのトラップの占有数と密度の２次元分布 ■２次元多重横モードの光学場分布 ■２次元局所光学利得分布 ■バイアス電流に対するモード別屈折率依存性 ■バイアス電流に対するモード別利得と屈折率変化の依存性 ■電流に対する自発放出スペクトルの依存性 ■Far-field 分布 ■上記の全ての量の時間発展（過渡的モデル）と温度依存性（一様温度） ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード　もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

＜主な特徴＞ ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を含むレーザダイオードが計算可能＜多様な物理モデルや機能＞ ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング） ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■２次グレーティングDFBレーザーについての表面放出モード分布の計算 ■異なる縦モードに対する出力と周波数変化 ■サイドモード比、線幅、線幅と出力の積、有効α、２次調和歪み、　表面放出出力（２次グレーティングDFB） ■異なるレーザー面と任意のバイアス条件でのモード出力スペクトル ■異なるバイアス条件と時間におけるモード出力スペクトル ■任意のバイアス条件におけるAM/FM微小信号変調応答、FM/RINノイズスペクトル ■２次調和歪みスペクトル ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード　もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください

クロスライトソフトウェアインク日本支社について

〜世界に認められたプロのための半導体デバイスシミュレーター〜

クロスライトソフトウェアインク(前Beamtek Software Inc.)は1992年にカナダ国家科学研究委員会から独立しカナダに本社を設立したインターナショナル企業です。
現在、バンクーバーに本社を構え、1997年上海拠点、2001年9月千葉市に日本支社を設立しました。

当社は、各種半導体レーザーデバイス、発光、受光素子、MEMSおよびMOCVDプロセス等の物性を解析するCADソフトウェアの開発元として、常に最先端な技術で半導体オプトエレクトロニクス、電子デバイス・プロセス技術の先端物理モデルを提供するリーダーカンパニーです。

当社主力製品の3次元半導体レーザーダイオードシュミレーターPICS3Dは1998年、業界誌 Laser Focus World「レーザーフォーカスワールド」より Commercial Technology Achievement Award 「最優秀製品技術賞」を受賞しました。

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