2023年の23億4,000万米ドルから2031年には70億3,000万米ドルへと飛躍的に成長すると予測されている
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SiCダイオード市場は大幅な成長が見込まれており、2024年までに26億5000万米ドルと推定され、2024年から2031年までの年平均成長率（CAGR）は14.9％と予測されています。SiCダイオードは、高温耐性、低オン抵抗、卓越した電圧・周波数能力などの優れた性能特性により、従来のシリコンダイオードを凌駕しています。これらのダイオードは主に、電気自動車、データセンター、基地局、スマートグリッドなど、さまざまな分野の重要な電力システムで利用されています。
本レポートは、SiCダイオード市場に関する詳細な分析を提供します。順方向電流別、逆電圧別、用途別、地域別に分けて市場を分析し、主要な市場プレーヤーの戦略や課題についても詳細に述べられています。
出版社：Fairfield Market Research
出版月：2024年10月
レポートの言語：英語
※詳細は当社webサイト or サンプル資料をご覧下さい。
出版月：2024年10月
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