株式会社イー・スクエア

【資料】大気圧プラズマ表面改質の優位性とその装置 ver:2

最終更新日: 2022-02-22 13:30:36.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

種々の表面改質手段や各種材質における接触角経時変化などを掲載!
当資料は「大気圧プラズマ表面改質の優位性とその装置」について
ご紹介しています。

「大気圧プラズマ表面改質の優位点」や「電極構造による発光強度比較」など、
接触角写真や図を交えて掲載しております。

技術資料としてご活用ください。

【掲載内容(抜粋)】
■種々の表面改質手段
■大気圧プラズマ表面改質の優位点
■LCD市場における表面改質の現状
■弊社プラズマ装置の特徴
■種々の処理形態及びプロセス関連 など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連情報

大気圧プラズマ『Precise』シリーズ ※資料進呈中
大気圧プラズマ『Precise』シリーズ ※資料進呈中 製品画像

【大気圧プラズマ表面改質の優位点】
■ドライ処理のため乾燥工程(ドライプロセス)が不要
■目的とする接触角をコントロールできる
■活性ガス(OHラジカル)の侵入部分全て処理ができる
■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる
■装置がコンパクト(省スペース)
■親水処理では排ガス等の後処理も不要
■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない
■処理中表面へのUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■残渣物が出来ない表面乾燥ができる
■反応性の高い酸素ラジカル粒子を高密度に生成するので、高速に処理でき、生産性の向上に寄与
■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う官能基かアミン基の選択が可能
■液晶ポリマー(LCP)本来の有効な電機特性を失うことなく、接着性を高めることが可能
■接着剤を用いないので、低誘電率での直接接合が可能
■界面制御による同種・異種材料接合技術

大気圧プラズマ表面処理装置 5G向けプリント基板(FCCL)にも
大気圧プラズマ表面処理装置 5G向けプリント基板(FCCL)にも 製品画像

【リチウムイオン電池への電解液の注入時間の短縮について】
ワークの表面に親水性を持たせることで、毛管現象(毛細管現象)の効果があがるため、電解液の注入時間短縮が期待できます。
もし、ご興味をお持ちいただけましたら、一度お問合せいただけますと幸いです。

大気圧プラズマ装置によるCFRP・長尺繊維束向けの高効率表面改質
大気圧プラズマ装置によるCFRP・長尺繊維束向けの高効率表面改質 製品画像

【大気圧プラズマ表面改質の優位点】
■ドライ処理のため乾燥工程(ドライプロセス)が不要
■活性ガス(種々のラジカル)の侵入部分全て処理ができる
■装置がコンパクト(省スペース)
■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない
■処理中表面へのUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■残渣物が出来ない表面乾燥ができる
■高密度ラジカル発生により繊維束内部まで効率的なドライ洗浄ができる。
■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う官能基かアミン基の選択が可能
■界面制御による同種・異種材料接合技術

大気圧プラズマ装置「AP Plasma Precise II」
大気圧プラズマ装置「AP Plasma Precise II」 製品画像

【大気圧プラズマ装置の優位点】
■ドライ処理のため乾燥工程が不要
■目的とする接触角をコントロールできる
■活性ガス(各種ラジカル)の侵入部分全て処理ができる
■添加ガス変更で、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして使用できる
■装置がコンパクト(省スペース)
■排ガス等の後処理も不要
■処理表面への電気的、物理的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子特性変化がない(完全な高周波電力遮蔽)
■処理中のUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■残渣物が出来ない表面乾燥ができる
■高密度ラジカル発生により、窒素ガスを半減、生産性の向上に寄与
■添加ガス種の変更により、接着界面に見合う供給結合分子付与の選択が可能
■パーティクルフリー

大気圧プラズマ装置 「Preciseシリーズ」
大気圧プラズマ装置 「Preciseシリーズ」 製品画像

【大気圧プラズマ装置の優位点】
■ドライ処理のため乾燥工程不要
■接触角(表面エネルギー)をコントロールできる
■活性ガス(各種ラジカル)処理なので、不織布や繊維束内部まで処理が可能。
■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる
■パーティクルフリー
■排ガス処理も不要
■処理表面への物理的、電気的、熱的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子特性変化がない
■有機表面、内部へのUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■残渣物が出来ない表面乾燥ができる
■高密度ラジカルの生成により、窒素ガス消費量の45%削減(従来比)
■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う官能基かアミン基の選択が可能
■各種材質表面へのダイレクト接着技術
■還元処理

大気圧プラズマ装置による繊維束状用表面改質
大気圧プラズマ装置による繊維束状用表面改質 製品画像

【大気圧プラズマ装置表面改質の優位点】
■ドライ処理のため乾燥工程が不要
■目的とする接触角をコントロールできる
■活性ガス(OHラジカル等)の侵入部分全て処理ができる
■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる
■コンパクト(省スペース)
■親水処理では排ガス等の後処理も不要
■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない
■処理表面へのUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■プラズマによる精密乾燥(乾燥痕のない)ができる
■高密度プラズマの発生により、窒素ガス消費量が45%減
■添加ガス種の変更により、接合相手材質に見合う官能基かアミン基等の選択が可能
■共有結合分子付与による同種/異種材料直接・接合が可能

大気圧プラズマ装置 
大気圧プラズマ装置  製品画像

【大気圧プラズマ表面改質の優位点】
■目的とする表面エネルギー(接触角)をコントロールできる
■活性種ガス(OHラジカル等)の侵入部分の細部まで処理ができる
■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる
■装置がコンパクト(省スペース)
■親水処理では排ガス等の後処理も不要
■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型)
■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型)
■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない
■処理中表面へのUVダメージがない
■Particle発生がない(ダウンストリーム型)
■残渣物の出来ない常温表面乾燥
■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う共有結合分子の付与
■分子結合を用いた各種フィルムへのダイレクト接着技術、

大気圧プラズマ表面処理装置 FCCL市場向けダイレクト 接着技術
大気圧プラズマ表面処理装置 FCCL市場向けダイレクト 接着技術 製品画像

弊社ラボにてサンプルワークを実施しております。
お気軽にお問合せください。

大気圧プラズマ装置Cu/フッ素樹脂等へのダイレクト接着と超親水化
大気圧プラズマ装置Cu/フッ素樹脂等へのダイレクト接着と超親水化 製品画像

【リチウムイオン電池への電解液の注入時間の短縮について】
ワークの表面に親水性を持たせることで、毛管現象(毛細管現象)の効果があがるため、電解液の注入時間短縮が期待できます。
もし、ご興味をお持ちいただけましたら、一度お問合せいただけますと幸いです。

大気圧プラズマ装置による5G向けプリン基板、FCCL向け
大気圧プラズマ装置による5G向けプリン基板、FCCL向け 製品画像

プラズマ長(幅)で仕様、販売価格が変わります。
ご希望のプラズマ幅(処理幅)をお知らせください。
100ミリ~3000ミリ幅まで製作可能。

卓上式実験機製作可、立ち合い実験可能

大気圧プラズマ装置を利用した電解液の注入時間短縮!
大気圧プラズマ装置を利用した電解液の注入時間短縮! 製品画像

大気圧プラズマ表面処理装置『Precise』について

プラズマ発生部を処理部と分離されているため(ダウンストリーム型)、処理界面にダメージを与えることなく、分子結合を主体に表面に官能基・水酸基、アミン基を付与することで、種々のフィルムや金属薄膜とのダイレクトに接着することが可能です。この技術は電極形成時に有効と考えております。
弊社ラボにてサンプルワーク実施しております。

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

大気圧プラズマ装置を用いた粒子への効率的表面改質
大気圧プラズマ装置を用いた粒子への効率的表面改質 製品画像

【その他の特長】
■プラズマ生成時のUV・DeepUV光量を従来比約1/80に減衰
■ワーク内部の分子間架橋特性変化やダメージ発生がない
■放電電極内でのイオン加速制御及びスパッタ効果の抑制効果から、Particle発生が無い
■誘電体電極寿命が半永久的に使用でき、ランニングコスト低減
■半導体チップ上の処理も可能(処理後のトランジスタ特性変化なし<4nm以上のL/S>)
■プラズマ発生エリアとワーク間距離を最小限にする構造(特許)により、高性能化が実現

※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

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