パッシベーション用MBE装置は、表面パッシベーションまたはレーザーファセットパッシベーションのために特別に設計された各種チャンバーで構成されております。表面やファセット面を保護するために、さまざまなコーティングを使用することが可能です。代表的な材料としてZnSe、SiN、酸化物等がある。
構成例として、クリーニングとパッシベーションを行うレーザーの両端でデバイスホルダーを反転させる機能が含むチャンバ、パッシベーション膜前の自然酸化膜除去する為の水素(H2)プラズマクリーニングチャンバ等を含む事も可能です。
ウエハは、高真空条件下でチャンバーからチャンバーへと移動し、プロセス全体を通して清浄度が維持されています。
お客様のご要望とプロセス時間等に応じて、プロセスチャンバーを追加することができます。
基本情報
RIBER社(フランス)は、1964年に設立された分子線エピタキシャル成長装置(MBE装置)およびコンポーネント(MBEセル・蒸着源)を製造・販売する世界シェアNo.1のサプライヤーです。これまで主にGaAsやInP、GaN等の化合物半導体材料の成膜用途として累計約800台の装置を世に送り出してきました。現在、世界の主要大学や公的研究機関、デバイスメーカー、エピファウンドリー各社がRIBER社のMBE装置を運用しており、データ通信、5G/6G、VCSELレーザー、フォトニクス、センサー、3Dセンシングなど様々な最先端分野の研究または生産ツールとして貢献しています。
日本国内では、伯東株式会社が総代理店として、同社製品の販売と保守サービスを提供しております。
価格帯 | お問い合わせください |
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用途/実績例 | 【用途】 ・ 半導体レーザー、センシング、データ通信等 【実績例】 ・ 高出力、高寿命半導体レーザー主要各社がRIBER社のパッシベーション用MBE装置を運用しており、最先端分野の研究または生産ツールとして貢献しています |
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