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2015/08/18のニュース

掲載開始日:2015/08/18

製品ニュース

IDTがGaAs製品と比べて直線性が1,000倍の新しい電圧可変アッテネータを発表 新しいRF電圧可変アッテネータは、低挿入損失と高直線性、 周波数範囲1 MHz~6 GHzを実現

IDTは、RF電圧可変アッテネータ(VVA)シリーズに2つの新製品が加わったことを発表しました。このF2255とF2258の両アッテネータの周波数範囲は1 MHz~6 GHzで、VVAシリーズの既存の製品と同様に、業界をリードする低挿入損失と高い直線性を特徴としています。
IDTのVVAは、高精度の減衰が要求される用途でのアナログ制御を可能にします。今回の新製品はどちらも、3mm×3mm、16ピンのコンパクトなTQFNパッケージで提供されます。挿入損失は競合製品に比べて半減しており、IP3性能は競合するガリウム砒素(GaAs)素子の1000倍(30 dB)であり、電圧制御範囲全体にわたってdB直線性の減衰特性を示します。挿入損失が低いため、RFチェーンパス損失が軽減されるとともに、高直線性によってシステムのデータレートも向上します。
これら最新のアッテネータは一般的なフットプリントに適合し、基地局(2G、3G、4G)、マイクロ波インフラ、防災無線、携帯無線通信/データ装置、試験/ATE装置、軍事システム、JTRS無線、HF/VHF/UHF無線などに最適です。

電圧可変アッテネータ F2255, F2258

電圧可変アッテネータ F2255, F2258

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