【その他の特長】
■超高速ボディダイオード&超低Qrr
■絶縁破壊電圧650V
■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
■著しく低減されたスイッチング損失
■RDS(on)の温度依存性が低い
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■超高速ボディダイオード&超低Qrr
■絶縁破壊電圧650V
■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
■著しく低減されたスイッチング損失
■RDS(on)の温度依存性が低い
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