![CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6 製品画像](https://images.ipros.jp/public/product/image/a85/2001171567/IPROS09304547244761251775.png?w=140&h=140)
【主な利点】
■コスト競争力のある技術
■スイッチング速度の高速化による効率性の向上
■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能
■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現
■駆動しやすく、優れたデザイン性
■小型で高い電力密度の設計が可能
■幅の広い製品ラインアップから好適な製品を選択可能
■高い電力密度
■製造コストの削減
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■コスト競争力のある技術
■スイッチング速度の高速化による効率性の向上
■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能
■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現
■駆動しやすく、優れたデザイン性
■小型で高い電力密度の設計が可能
■幅の広い製品ラインアップから好適な製品を選択可能
■高い電力密度
■製造コストの削減
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。