CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、
デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。
コンパクトなSMD 7ピン パッケージのCoolSiC MOSFET 650Vは、
高電力アプリケーションをターゲットとするインフィニオンSiCトレンチ技術を
使用して構築されています。
これは、最大クラスのシステム性能、小型化、信頼性を実現するよう
最適化されています。
【特長】
■低いQrrとQoss
■低スイッチング損失
■堅牢な転流ボディダイオード
■優れたゲート酸化膜信頼性の優れたトレンチ技術
■アバランチ性能の向上
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【主な利点(抜粋)】
■高性能、高信頼性、使いやすさ
■高いシステム効率と電力密度を実現
■システムのコストと複雑さを軽減
■連続的なハードコミュテーションのあるトポロジで機能
■高温で過酷な運用に適合
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | 【対象アプリケーション】 ■サーバー ■テレコム ■SMPS ■ソーラーエネルギーシステム ■エネルギー貯蔵と電池の形成 など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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