最終更新日:
2024-04-03 11:41:57.0
市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！
『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから
進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。
推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を
大幅に拡大。また、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーする
ために最大ゲートソース電圧を+23Vと-10Vに拡大しています。
VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、
同時にRDSon性能を125℃で約12％向上しました。なお、デバイスの
基本コンセプトは変わらず、セルレイアウトやサイズにも変更はありません。
【特長】
■Easy 1B、2B、3Bパッケージ
■1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代)
■最大ゲートソース間電圧+23V～-10Vに拡大
■6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成
■PressFITピン
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【主な利点】
■市場で特に幅広い産業用SiC製品のラインアップ
■標準的なCoolSiC MOSFET(M1)に比べてRDsonが12％向上
■スイッチング時のドリフトを低減
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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