最終更新日:
2024-04-16 11:49:42.0
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。
PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、
25Vから100Vまで。
ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、
デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。
【特長】
■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減
■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善
■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供
■最適化された新しいレイアウトの可能性
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【主な利点】
■高い電力密度と性能
■優れた熱性能
■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用
■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化
■低いPCB損失
■PCB寄生容量の低減
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【対象アプリケーション】 ■ドライブ ■テレコム ■SMPS ■サーバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
関連カタログ
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
