最終更新日:
2024-04-16 11:49:42.0
ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。
高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、
大電力の共振トポロジーに好適な製品。
スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル
ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、
最高クラスの効率を実現します。
【特長】
■超高速ボディダイオード＆超低Qrr
■絶縁破壊電圧650V
■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
■著しく低減されたスイッチング損失
■RDS(on)の温度依存性が低い
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【主な利点】
■転流本格使用に備えた優れた堅牢性
■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加
■パワー密度の向上が可能
■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率
■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上
■市場での代替品と比べ高いコスト競争力
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【対象アプリケーション】 ■高速EV充電 ■サーバー電源 ■太陽光発電システム向けソリューション ■通信インフラ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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