最終更新日:
2024-08-19 09:21:27.0
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに
低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。
電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、
品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。
全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。
太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、
モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。
【特長】
■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上
■高速スイッチング能力も最大30％以上向上
■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作
■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ
※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の
アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。
お問い合わせもお気軽にどうぞ。
基本情報
【その他の特長】
■放熱性能は前世代比で最大12％向上
■SMDパッケージで供給可能な電力は最大60％以上増加
■広範なアプリケーションで活用可能
■堅牢で長期間の動作でも性能を維持
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