株式会社アイテス

CDM試験 低湿度環境対応

最終更新日: 2023-01-12 17:19:34.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

関連情報

CDM試験 低湿度環境対応
CDM試験 低湿度環境対応 製品画像
【仕様】
■湿度制御:ドライエア(露点温度-20℃)により湿度30%未満を実現
■確認方法
 ・サンプル設置近傍の2ヶ所に温湿度センサーを設置して温度・湿度を常時モニター
 ・相対湿度が30%未満となった時点で試験開始
■試験装置:CDM SIMULATOR HED-C5002

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ESD/ラッチアップ試験受託サービス
ESD/ラッチアップ試験受託サービス 製品画像
半導体デバイスやそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD破壊およびラッチアップによる破壊に対する耐性を評価する試験サービスを提供します。

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、EIAJ、ESDAなどの規格に準拠した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合は、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。
信頼性保証サービスのご紹介
信頼性保証サービスのご紹介 製品画像
■高度加速寿命試験
 内寸(最大) Φ545×L550mm
 温湿度範囲 +105~162.2℃/75~100%RH

■冷熱衝撃試験
 内寸(最大) W970×H460×D670mm
 温度範囲 -65℃~0℃/+60℃~200℃

■恒温恒湿試験
 内寸(最大) W1000×H1000×D720mm
 温湿度範囲 -70℃~+150℃/20~98%RH

■液槽冷熱衝撃試験
 試料カゴ(最大) W320×H240×D320mm
 耐荷重(最大) 10kg
 温度範囲 -65℃~0℃/+60℃~150℃
ESD(HBM・MM)試験受託サービス
ESD(HBM・MM)試験受託サービス 製品画像
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)
 ±5~±4500V(Step:5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)
 ±5~±2000V(Step:5V)
■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等
 多様な印加条件に対応します。
■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、
 VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。
ESD(CDM)試験受託サービス
ESD(CDM)試験受託サービス 製品画像
■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ
■最大 1024ピン まで対応します。
■プローブ移動精度:0.1mm
■印加ユニット:JEDEC(JESD22-C101F)、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ法
 FI-CDM:電界誘導法(JEDEC・AEC)
 D-CDM:直接チャージ法(JEITA・EIAJ・AEC)

☆車載向け電子部品規格:AEC-Q100-011の試験サービスを開始
 AEC規格のField Induced CDM(FI-CDM)試験対応が可能です。
 AEC規格のDirect CDM(D-CDM)試験対応が可能です。
高温ラッチアップ試験
高温ラッチアップ試験 製品画像
【仕様】
■温度範囲:50℃~150℃
■加熱方式:温風による加熱
 (フィクスチャボード上のソケット・デバイス等を熱風発生器で加温)
■制御方法: デバイス付近にセンサーを設置し温度調節器で制御(温度センサ:Pt100)
 事前確認としてデバイス表面温度を測定し、ヒーターの出力値を調整
■試験装置: ESD/ラッチアップテスタ M7000A-512EL
■装置仕様: VCC電源搭載数4台(VCC1:100V/0.5A、VCC2~VCC4:50V/1A)
 電源過電圧印加法のVCC電圧+VTパルス電圧は、最大150Vまで設定可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ESD(CDM)試験受託サービス
ESD(CDM)試験受託サービス 製品画像
【装置仕様】
■印加(充電)電圧:0~±4000V
■ステップ電圧:5V
■印加回数:1~99回
■ピン数:最大1024ピン
■印加ユニット:JEDEC、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ方法
 ・D-CDM(直接チャージ法):JEITA、EIAJ、AEC
 ・FI-CDM(電界誘導法):JEDEC、AEC

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ESD(HBM・MM)試験受託サービス
ESD(HBM・MM)試験受託サービス 製品画像
【装置概要/評価内容】
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)±5V~±4000V(Step:5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V~±2000V(Step:5V)
■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応
■破壊判定方法:保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、
 電源ピンの特性評価の4種類に対応
■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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