パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V） | 株式会社アイテス

製品ニュース掲載開始日: 2023-04-07 00:00:00.0

株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の
高温逆バイアス試験（HTRB）が最大2000Vまで印加できます。

試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの
劣化状況が把握可能｡電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが
故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。

また、不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を
不良判定時に遮断することができます。

【仕様・サービス内容】
■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能
■印加電流：最大14mA
■試験数量：最大8個（電源独立）
■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談）
■測定内容：リーク電流のモニタリング
■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）

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