弊社は、窒化ケイ素絶縁放熱基板の量産化を目的に宮城県富谷市の事業所内で建設を進めていた新工場に関し、10月2日に竣工式を執り行いました。
低炭素社会、脱炭素社会実現に向け、パワーエレクトロニクス分野では、HV／電気自動車、高速鉄道、産業機器の省電力化に必要不可欠な各種機器の電力を制御するシリコン（Si）、シリコンカーバイド（SiC）をはじめとするパワー半導体、パワー半導体搭載回路、絶縁放熱基板、パワーモジュールの開発・製品化が積極的に進められています。
パワーモジュール性能向上にはパワー半導体や電子デバイスが発する熱を効率的に放熱できる絶縁放熱基板が重要となります。弊社の窒化ケイ素絶縁放熱基板は、高い熱伝導率（80～90W）と優れた機械的性質、絶縁性を有し、ハイブリッド自動車や電気自動車向けパワー半導体用の絶縁放熱基板として、自動車メーカーおよび回路基板メーカーから高い評価を獲得できたことから、2018年11月に量産工場の投資を決定し、今般完成を迎えました。
今後、市場拡大に合わせて順次増産させていく計画に加え、熱伝導率を現状の約1.5倍に高めた絶縁放熱基板の製品化も実現していく予定です。
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日本ファインセラミックス株式会社
