●応答波長域:Si 320nm~1.08μm(ピーク波長 940nm), InGaAs 1.01~1.7μm(ピーク波長 1.55μm)
●検出素子仕様 Si:検出エリア 2.4 x 2.4mm, 応答性 0.45 A/W, 暗電流 130 pA, 検出度 1.4 x 10^(13) cm*Hz^(1/2) /W
●検出素子仕様 InGaAs:検出エリア Φ1mm, 応答性 0.55 A/W, 暗電流 1 nA, 検出度 3.5 x 10^(12) cm*Hz^(1/2) /W
●トランスインピーダンスアンプのプログラム可能なゲイン数 8
●高ダイナミックレンジ:10^(9) : 1
●2チャンネル、24ビットADC、最大120kSPS/チャンネル
●アナログ出力用BNC×2
●3個のGPIO(汎用入出力端子)を装備
●プラグ&プレイソフトウェアおよびDLLが利用可能
※PDFカタログをダウンロードいただけます。詳しくはお問い合わせください。
●検出素子仕様 Si:検出エリア 2.4 x 2.4mm, 応答性 0.45 A/W, 暗電流 130 pA, 検出度 1.4 x 10^(13) cm*Hz^(1/2) /W
●検出素子仕様 InGaAs:検出エリア Φ1mm, 応答性 0.55 A/W, 暗電流 1 nA, 検出度 3.5 x 10^(12) cm*Hz^(1/2) /W
●トランスインピーダンスアンプのプログラム可能なゲイン数 8
●高ダイナミックレンジ:10^(9) : 1
●2チャンネル、24ビットADC、最大120kSPS/チャンネル
●アナログ出力用BNC×2
●3個のGPIO(汎用入出力端子)を装備
●プラグ&プレイソフトウェアおよびDLLが利用可能
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