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関連情報
【DLE-NEW-Compact 装置仕様概要】
■露光解像度:約1270DPI・20μmまたは約2540DPI・10μm(選択)
■使用光源:LED(波長385nm+405nm)またはLD(405nm)
■位置決め精度:±1μm
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■露光解像度:約1270DPI・20μmまたは約2540DPI・10μm(選択)
■使用光源:LED(波長385nm+405nm)またはLD(405nm)
■位置決め精度:±1μm
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クラボウ(倉敷紡績株式会社)