一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

2017-12-21 00:00:00.0
技術情報「TOF-SIMSによる粉体粒子表面の分布評価」ほか3件を公開

カタログニュース   掲載開始日: 2017-12-21 00:00:00.0

MSTホームページにて、下記分析事例3件を公開しました。
・TOF-SIMSによる粉体粒子表面の分布評価
・TDSによる有機膜の熱処理温度依存性評価
・TDSによるレジスト膜の脱ガス評価

詳細はMSTホームページをご覧ください。
http://www.mst.or.jp/

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関連製品情報

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一粒の粉体表面に分布する成分の評価が可能

リチウムイオン二次電池で使用される黒鉛負極粒子を塗布したシートを、TOF-SIMSにて分析した事例をご紹介します。一粒の粉体の表面にグラファイトとPVDFが分布している様子が確認できました。 飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF-SIMS)は、二次イオンのマススペクトルから表面の有機物・無機物の定性・イメージに適した手法です。分解能よく分析することが可能なため、微小異物やしみなどの分布評価に有効です。 測定法:TOF-SIMS 製品分野:二次電池 分析目的:組成分布評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
【分析事例】TDSによるレジスト膜の脱ガス評価
【分析事例】TDSによるレジスト膜の脱ガス評価 製品画像
TDSにより有機膜からの脱ガス成分評価、温度依存性評価が可能です

TDSは高真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温し、試料から脱離するガスを質量分析計を用いて調査する手法です。真空装置であるため有機物の多量の脱離を嫌いますが、試料量を調整することによりTDSで評価が可能です。 レジスト膜についてTDS分析を実施した例を以下に示します。有機物、水、H2S、SO2などレジスト膜起因の脱ガスが検出されました。また成分により、脱離の温度が異なることが分かりました。
【分析事例】TDSによる有機膜の熱処理温度依存性評価
【分析事例】TDSによる有機膜の熱処理温度依存性評価 製品画像
試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます

TDSは昇温と共に脱離する無機ガス・有機ガスについて、脱離の温度依存性も評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。 レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出された200℃までの脱ガスピークが、「200℃ベーク後」では検出されていないことが確認できました。

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