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2018-02-22 00:00:00.0
技術情報「TOF-SIMSによる歯科インプラントの分析」ほか2件を公開

カタログニュース   掲載開始日: 2018-02-22 00:00:00.0

MSTホームページにて、下記分析事例3件を公開しました。
・TOF-SIMSによる歯科インプラントの分析
・軟X線発光分光によるGaNの評価

詳細はMSTホームページをご覧ください。
http://www.mst.or.jp/

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関連製品情報

【分析事例】歯科インプラントの分析
【分析事例】歯科インプラントの分析 製品画像
チタン(Ti)の酸化・水素化の深さ方向の状態評価が可能

歯科インプラントとは、虫歯や歯周病などにより歯を失った場合に顎の骨に埋め込む人工的な器具です。 生体に埋め込むため、生体組織と直接触れる表面部の状態評価が重要です。 TOF-SIMSは最表面の定性分析に加え、最表面での深さ方向分解能に優れ、高感度に深さ方向の状態評価を行うことが可能です。 本事例では、歯科インプラントのTiの状態を深さ方向に評価した結果をまとめております。
【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価
【分析事例】軟X線発光分光によるGaNの評価 製品画像
価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

放射光を用いた軟X線発光分光（SXES）は材料を構成する各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度（pDOS）を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、1.バルクの情報が得られる 2.絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能 3.検出下限が低い（＜1atomic%）などが挙げられ、特に軽元素(B,C,N,O等)を含んだ材料の評価に有効です。本資料では測定例としてGaN基板のSXESスペクトルをご紹介します。

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