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【活用事例】ギ酸還元リフローの特徴とアプリケーション

最終更新日: 2020-10-19 09:31:25.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

ギ酸還元のメリットとアプリケーションを徹底解説(ユニテンプジャパン製)
フラックスギ酸還元の仕組みやメリットとデメリット、そして
実際の活用事例を徹底解説しました。

関連情報

ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300
ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 VSS-300 製品画像
【仕様(抜粋)】
■装置サイズ(WxDxH):550mm×690mm×830mm
■装置重量:約105kg
■有効対象物サイズ(WxDxH):300mm×300mm×50mm
■最大到達温度:450℃
■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱)
■温度制御方式:P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ300mmウエハ時)
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/min.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=450℃>200℃)、60K/min.(T=200℃>100℃)
■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa)
■窒素ガス:0.35~0.4MPa(3.5~4bar)
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■チャンバー冷却方式:ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式:水冷/空冷(共用可)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RSO-200
ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RSO-200 製品画像
【仕様(抜粋)】
■装置サイズ(WxDxH):505x505x570mm
■装置重量:約55kg
■有効対象物サイズ(WxDxH):155mmx155mmx40mm
■最大到達温度:650℃
■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱)
■温度制御方式:P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時)
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):600K/min.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):200K/min.(T=650℃>400℃)、60K/min.(T=200℃>100℃)
■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa)
■プロセスガス供給ライン:マスフローコントローラx1(最大流量:5nlm)
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■チャンバー冷却方式:ウォータージャケット方式

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210
ギ酸・水素還元対応 卓上型真空はんだリフロー装置 RVS-210 製品画像
【仕様(抜粋)】
■装置サイズ(WxDxH):670x544x320mm
■装置重量:約45kg
■有効対象物サイズ(WxDxH):200mmx200mmx50mm
■最大到達温度:400℃
■加熱方式:IRヒーター(下部加熱)
■温度制御方式:P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時)
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃)
■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa)
■プロセスガス供給ライン:マスフローコントローラx1(最大流量:5nlm)
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■チャンバー冷却方式:ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式:水冷/空冷(共用可)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S
ギ酸・水素還元対応真空はんだリフロー装置 RSS-3×210-S 製品画像
【仕様(抜粋)】
■装置サイズ(WxDxH):820x630x315mm
■装置重量:約100kg
■有効対象物サイズ(WxDxH):620mmx200mmx50mm
■最大到達温度:300℃
■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱)
■温度制御方式:P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1.5%以内
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):90K/min.(T=300℃>200℃)
■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa)
■プロセスガス供給ライン:マスフローコントローラx1(最大流量:5nlm)
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■チャンバー冷却方式:ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式:水冷/空冷(共用可)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
10X光学ズームマイクロスコープAZ9T/AZ9C
10X光学ズームマイクロスコープAZ9T/AZ9C 製品画像
【仕様】
■整合光学倍率:17X~170X(AZ9T)
■接眼レンズ:WF20X 2式付属(AZ9C)
■ズーム比:10倍(10:1)0.85X~8.5X
■作動距離:90mm
■像サイズ:Φ8mm(推奨1/2型、Cマウント)
■鏡体全長:AZ9T 約2500g/ AZ9C 約2000g
・ズーム比10倍レンジは、接眼視野Φ10.6mm~Φ1.06mmと3μm以下の分解能を達成
・作動距離90mmは、半導体検査・チャンバー内観察・ピンセット作業・輻射熱対策などの多岐にわたるアプリケーションに対応
・開口絞り機構により、コントラストや焦点深度の調整が自由
・AZ9Tカメラ直筒とAZ9C三眼鏡筒(20X 接眼レンズ2式付属)の2種類を選択可能
・明視野観察には同軸落射照明、暗視野観察にはリング照明(傾斜)を用意

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ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-210-S
ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-210-S 製品画像
【仕様(抜粋)】
■装置サイズ(WxDxH):430x295x290mm
■装置重量:約22kg
■有効対象物サイズ(WxDxH):200mmx200mmx50mm
■最大到達温度:400℃
■加熱方式:IRヒーター(下部加熱)
■温度制御方式:P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時)
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):240K/min.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.(T=400℃>200℃)
■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa)
■プロセスガス供給ライン:マスフローコントローラx1(最大流量:5nlm)
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■チャンバー冷却方式:ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式:水冷/空冷(共用可)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-160-S
ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-160-S 製品画像
【仕様(抜粋)】
■装置サイズ(WxDxH):300x420x220mm
■装置重量:約12kg
■有効対象物サイズ(WxDxH):155mmx155mmx40mm
■最大到達温度:400℃
■加熱方式:IRヒーター(下部加熱)
■温度制御方式:P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ200mmウエハ時)
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):100K/min.(T=400℃>200℃)
■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa)
■プロセスガス供給ライン:マスフローコントローラx1(最大流量:5nlm)
■コントローラ:タッチパネルコントローラSIMATIC TP-700
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■チャンバー冷却方式:ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式:水冷/空冷(共用可)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-110-S
ギ酸・水素還元対応 真空はんだリフロー装置 RSS-110-S 製品画像
【仕様(抜粋)】
■装置サイズ(WxDxH):260mmx420mmx220mm
■装置重量:約10kg
■有効対象物サイズ(WxDxH):105mmx105mmx40mm
■最大到達温度:400℃
■加熱方式:クロス配列IRヒーター(下部加熱)
■温度制御方式:P.I.D.制御方式
■プレート上面内温度差:設定温度に対して±1%以内(対象物:Φ100mmウエハ時)
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):120K/min.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):180K/min.(T=450℃>200℃)
■チャンバー真空耐久度:0.1Pa(10-3hPa)
■窒素ガス:0.35~0.4MPa(3.5~4bar)
■コントローラ: 7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■チャンバー冷却方式:ウォータージャケット方式
■加熱プレート冷却方式:水冷/空冷(共用可)

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Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100
Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100 製品画像
【仕様】
■装置サイズ(WxDxH):504 x 504 x 700mm
■装置重量:約55kg
■有効対象物サイズ(WxD):100 x 100mm
■加熱方式:IRヒーター
■最大到達温度:1200℃
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):150K/sec.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃)
■冷却方式:窒素ガスパージ方式
■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■プロセスデータ保存先:USBメモリ/Ethernet
■電源仕様:2x三相200V 50/60Hz 最大40A(合計80A)

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Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150
Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150 製品画像
【仕様】
■装置サイズ(WxDxH):504 x 504 x 570mm
■装置重量:約80kg
■有効対象物サイズ(WxD):156 x 156mm
■加熱方式:クロス配列IRヒーター
■最大到達温度:1000℃
■最大昇温速度(対象物の熱容量に因る):75K/sec. ※EPモデルは150K/sec.
■最大降温速度(対象物の熱容量に因る):190K/min.(T=1200℃>400℃)
■冷却方式:窒素ガスパージ方式
■真空到達度:10-1Pa ※HVモデルは 10-3Pa
■コントローラ:7インチタッチパネルコントローラ(SIMATIC製 TP-700)
■プロファイルプログラム登録数:最大50プログラム
■プログラムステップ数:最大50ステップ
■プロセスデータ保存先:USBメモリ/Ethernet
■電源仕様:2x三相200V 50/60Hz 最大40A(合計80A)

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高精度 プログラマブル ホットプレート HP-220
高精度 プログラマブル ホットプレート HP-220 製品画像
素材 アルミ合金
装置サイズ(WxDxH) 370x210x120 mm
装置重量 約10kg
加熱プレートサイズ(WxD) 220mmx155mm
有効対象物サイズ(WxDxH) 210mmx150mm
最大到達温度 250℃
加熱方式 カートリッジヒーター(下部加熱)
温度制御方式 P.I.D.制御方式
プレート上面内温度差 設定温度に対して±1.5%以内
最大昇温速度 25K/min.(※対象物の熱容量に因る)
最大降温速度 10K/min.(※対象物の熱容量に因る)
窒素ガス 0.35~0.4 MPa(3.5~4 bar)
プロセスガス供給ライン 手動ガス流量計
コントローラ Eurotherm 2416
プロファイルプログラム登録数 1プログラム
プログラムステップ数 最大:16ステップ
プロセスデータ保存先 USBメモリ
加熱プレート冷却方式 空冷
電源仕様  単相100V

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