最終更新日:
2021-04-01 16:45:52.0
砥粒技術+ケミカル配合技術により設計!ハイレートかつ面品質/面品位を両立できるCMPスラリー
当社が取り扱うCMPスラリー『ClasSiC/GaiNシリーズ』のご紹介です。
「ClasSiC」は、特にパワーデバイスに使用されるSiC基板の化学機械的
平坦化用に特別に配合されたハイレートスラリーです。
「GaiN」は、ナノアルミナ砥粒、ケミカル配合技術で研磨プロセスを
最適化するために特別に設計されており、研磨レートと平坦化性能を
大幅に向上させます。
【特長】
■コロイダルシリカベースのCMPよりハイレートを実現
■研磨時間の短縮が可能
■トータルコストダウンが可能
■砥粒技術+ケミカル配合技術により設計されたCMP
■研磨レートと平坦化性能を大幅に向上
■スクラッチ、潜傷のない優れた表面仕上げを実現
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基本情報
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価格帯 | お問い合わせください |
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用途/実績例 | 【用途】 ■SiC基板/GaN基板加工時のCMP工程で使用 ■化合物半導体基板メーカー ■デバイスメーカー ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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