上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
カタログ発行日：20240724
耐熱性に優れたパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセス 近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。そのため、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少ない皮膜が要望されています。また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されており、接合強度の向上を目的に銀めっきが要望されております。そこで、当社はパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセスを新たに開発しました。
関連情報
パワーモジュール向け・絶縁回路基板用無電解めっきプロセス
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自動車、電気自動車、家電製品、各種エレクトロニクス向けに各種めっき・表面処理薬品と高機能製品の開発を進めておりますので、お気軽にお問い合わせください。
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奥野製薬工業株式会社 大阪・放出、東京、名古屋など
