奥野製薬工業 マーケティング戦略室の山中です。
このたび、プリント基板/半導体パッケージ基板、環境配慮型の無電解ニッケルめっき薬品、各種表面処理薬品の新製品情報を一挙公開しました。
【新製品情報】
還元型コバルト触媒付与液を利用したボイドフリー最終表面処理、ICP-COAプロセス
https://www.ipros.jp/catalog/detail/694141?hub=60+794925
パッケージ基板向け めっき技術高アスペクト基板用 硫酸銅めっき添加剤 “トップルチナHLS”2
https://www.ipros.jp/catalog/detail/694132?hub=60+794925
生産性向上に貢献。最長20ターン使用可能な無電解ニッケルめっき液
https://www.ipros.jp/catalog/detail/694071?hub=60+794925
奥野製薬工業は、地球上で起こっている課題を解決するために、
これからもカガクを通じて未来のものづくりに貢献いたします。
表面処理・めっきに関するお困りごとはなんでもご相談ください。
関連製品情報
奥野製薬工業は、回路表面へボイドフリーで、均一なめっき皮膜を形成する最終表面処理プロセスを確立しました。
奥野製薬工業は、回路表面へボイドフリーで、均一なめっき皮膜を形成する最終表面処理プロセスを確立しました。 「ICP-COAプロセス」は、還元型コバルト触媒を利用した低膜厚Ni-P/Auめっきプロセスです。 本プロセスは、還元型コバルト触媒液「ICPアクセラCOA」およびコバルト触媒用の無電解Ni-Pめっき「ICPニコロンCOA-GM」から成り立っています。 パラジウムを用いる従来のプロセスでは、触媒付与の工程で銅素材が腐食し、銅素材とめっき皮膜間にボイドが発生することが課題となっていました。 本プロセスでは、還元析出によって均一な触媒膜を形成できるため、無電解ニッケルめっきの低膜厚化を実現します（無電解ニッケルめっき膜厚 従来プロセス：3.0µm、ICP-COAプロセス：0.5µm）。 さらに、ボイドフリーで被覆性良好な皮膜が得られるため、はんだ接合信頼性を損なうことなく無電解Niめっきを低膜厚化できます。
パッケージ基板向け めっき技術高アスペクト基板用 硫酸銅めっき添加剤 “トップルチナHLS”
半導体パッケージ基板（ICサブストレート）向け最新めっき技術です。 現在、スマートフォンやパソコン、サーバなどの電子機器が高性能化しており、それらに使用されているプリント配線板の層間を電気的に接続するスルーホールは小径化し、ピッチも狭くなっています。そのため、スルーホールの高アスペクト比化、高密集化が進んでいます。 当社は、プリント配線板の生産性向上と品質の安定のために、可溶性・不溶性陽極のいずれにも対応可能な高アスペクト比基板用硫酸銅めっき添加剤を新たに開発しました。本製品は、スルーホール内部およびビアへの析出性に優れ、幅広い電流密度で高いスローイングパワーが得られます。
建浴から10ターン以上、建浴時の析出速度（約20μm/h）を維持した実績あり。廃液量を減らすことができ、コストダウンも図れます
無電解ニッケル-リンめっきは、ターンの進行により析出速度が低下しやすく、5～6ターンで更新することが一般的である。浴の更新には多大な労力と時間を要するため、もっと長寿命な無電解ニッケル液が欲しいという要望が多い。 そこで、当社は、キレート剤の組み合わせと濃度のバランスを最適化し、建浴から10ターン以上まで析出速度の低下が少ない無電解ニッケルめっき液を開発した。本製品の開発により、生産性向上や、廃液量および光熱費削減によるコストダウンが図れるとともに、環境負荷の低減にも貢献できる。 【トップニコロンLLM-LF】 ・めっき浴の老化に伴う析出速度の低下やリン含有率の変化が少ない。 ・最長20ターン使用可能。 ・皮膜応力が低く、連続使用による応力の変化が小さい。 上記以外のことでもお気軽にご連絡ください。 下記お問い合わせより承っております。
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