半導体デバイス、半導体デバイスとプリント基板を中継するインターポーザ、半導体チップをプリント基板に直接実装するために用いられるパッケージの配線には、電気信号の送信や電源の共有、放熱などを目的として、めっきの技術が用いられています。
奥野製薬工業は、半導体の進化に対応するために、半導体向けの表面処理薬品・めっきプロセスを新たに開発しました。
◆ウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成
めっきプロセスと専用めっき装置
TORYZA（トライザ） EL PROCESS, TORYZA EL SYSTEM
◆半導体ウエハ向け
硫酸銅めっき薬品を新規開発
TORYZA（トライザ）LCNシリーズ
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関連製品情報
半導体ウエハやパッケージ基板への銅ピラー形成に最適な電気銅用めっき薬品 TORYZA LCN SP
半導体の実装にははんだボールが広く用いられてきました。しかし、多ピン化（基板上の端子の増加）、実装されるチップ数の増加、接合面積が狭小化によって、径が100µm程度のはんだバンプでは高密度実装が不可能になりつつあります。 それに代わる手段として、注目を集めているのは、半導体に再配線層（RDL; Redistribution layer）を形成し、銅ピラーを用いて接合する方法です。 当社は銅ピラーにに最適な添加剤、TORYZA LCN SPを開発しました。 TORYZA LCN SPは、パッケージ基板側のビルドアップ層へ超微細な電極を形成する際にも使用できます。
高アスペクトフィリングに対応、シリコンインターポーザ向け硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN SV
半導体の高性能化, 高機能化にともない、機能の異なる複数のチップを1つの基板上に実装するチップレットと3次元集積に関するパッケージング技術が注目されています。 その中でも、Si上に配線を形成したSiインターポーザは、配線の長さや幅を微細化して、高周波信号の伝送能力を高められるため、注目を集めています。 当社は高アスペクトフィリングに対応したシリコンインターポーザ向け添加剤として、TORYZA LCN SVを開発しました。 TORYZA LCN SVは、TSVへの埋め込み性に優れており、ボイドフリーかつ低膜厚で高アスペクトフィリングを実現します。
半導体ウエハ向け 高放熱・大電流用途 硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN SD
スマートフォンは、通話だけでなく、音楽や動画などのコンテンツ視聴、オンラインショッピング、自動車、スマート家電、ロボットなどの産業に広く利用されています。携帯電話やタブレットなどの移動用通信機器は、おおよそ10年ごとに大きな進化を遂げ、その最大通信速度は、30年間で約1,000,000倍になりました。 また、サーバや高性能コンピューターに搭載される半導体には、さらなる高性能化、多機能化が要求されています。 当社はこのたび、低アスペクトビアフィリングに最適な硫酸銅めっき添加剤、TORYZA LCN SDを新たに開発しました。 TORYZA LCN SDは、半導体チップとビルドアップ配線板を接合するマイクロバンプや、ウエハ上に配線されたトレンチ、パワー半導体などで放熱性改善のために用いられるサーマルビアなどに幅広く対応できます。
FOWLP、FOPLP および、次世代半導体パッケージ基板など超微細配線用硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN FRV
近年、半導体パッケージング技術は、薄型化、低コスト化に不利な従来のFC-BGAに対して、ウエハに再配線層を形成し端子をチップの外側まで広げる（Fan Out）ことでチップ面積に対する端子数のアップを可能にしたFOWLP、FOPLPが注目されています。 当社は、そのFOWLP、FOPLPの再配線層形成用に新たな硫酸銅めっき添加剤を開発しました。 本製品は膜厚均一性とパターン形状の矩形性に優れ、かつ小径ビアのフィリングにも対応します。 また、チップ側端子数増加に対応するために、従来のFC-BGAのビルドアップ層上への超微細配線層形成も検討されています。 本製品はそれら次世代半導体パッケージ基板の超微細配線形成にも最適です。
UBMを形成するプロセスです。アルミニウム電極とパッケージ端子の接続信頼性を向上できます。
UBMは、Under Bump Metalまたは、Under Barrier Metalのことをいい、半導体チップ上のアルミニウム電極パッドとパッケージ端子をワイヤボンディング、はんだ、銀焼結で接合するために形成される皮膜です。その皮膜は、無電解ニッケル／金めっきや、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきなどから構成されています。当社は半導体・エレクトロニクスの進化を支える数多くの製品を取り揃えていますので、お気軽にご相談ください。
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