PICOSUN JAPAN株式会社

ALD装置(原子層堆積装置)『P-300BV』

最終更新日: 2020/10/09

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

ALD量産向けバッチ装置の決定版!ロードロック付帯で高品質成膜に最適!
『P-300BV』は、LED、ディスクリート デバイスおよびプリントヘッド、
センサー、マイクなどのMEMSデバイスの製造に適した装置です。

当社が特許取得済みのホットウォール設計と完全に分離した注入口を組み合わせることにより、優れた生産性、低パーティクルレベル、電気性能や光学性能の優位性を実現した、高品質のALD膜を作り出すことができます。

また、ウエハバッチを半自動処理するよう設計されています。
ツールは高速バッチ生産用に最適化されており、SECS/GEM(オプション)を介してファクトリーオートメーションに組み込むことができます。

【特長】
■MEMSデバイスの製造に好適
■特許取得済みのホットウォール設計と完全に分離した注入口を組み合わせることにより、高品質のALD膜を作り出すことが可能
■アジャイル性の高い設計と簡単で迅速なメンテナンスにより、システムのダウンタイムを最小限に抑える
■非常に付回りの良いコーティングを超高アスペクト比の基板上に作ることができる

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連情報

ALD装置(原子層堆積装置) P-300BV
ALD装置(原子層堆積装置) P-300BV 製品画像
■標準的な基板サイズと種類
・200mmウエハで25pcs/バッチ
・150mmウエハで50pcs/バッチ
・100mmウエハで75pcs/バッチ
(いずれも標準ピッチ)
・ウエハ以外の基板(冶具は別途作成必要)
・高アスペクト比サンプル(最大1:2500)
■処理温度
・50~450℃
■標準工程
・最小1桁秒(<10秒)までのサイクルタイムでバッチ処理が可能
・Al2O3、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、TiO2、ZrO2、AlN、TiN及びメタル
・<1% 1σ バッチ内NU(Al2O3、WIW、WTW、B2B、49点、5mm EE)
■基板ローディング
・垂直ローダーによる半自動ローディング(1台または2台のローダー)
・オプション:ロードロック用ヒーター
■プリカーサー
・液体、固体、気体、オゾン
・レベルセンサー、洗浄および補充サービス
・4か所の独立したインレットから最大8種のソース

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