PICOSUN JAPAN株式会社

ALD装置(原子層堆積装置)『R-200 ADVANCED』

最終更新日: 2020/10/09

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

効率的で適応性のある研究が可能に!柔軟性が高く、優れた均一性を実現!
『R-200 ADVANCED』は、IC部品、MEMSデバイス、ディスプレイ、 LED、
レーザーといったさまざまな用途に、また、レンズ、光学部品、ジュエリー、コイン、医療用インプラントなどの3Dオブジェクトの研究開発に適しています。

アジャイル性の高い設計は高品質のALD成膜を可能にし、将来的なニーズや用途に適応できる非常に柔軟性の高いシステムとなっています。

完全に分離した注入口と計装器を備えた特許取得済みのホットウォール壁設計によりパーティクルフリーの処理が可能なため、ウェハ、3Dオブジェクト、ナノスケール形状の物にあらゆる素材を適用することができます。

【特長】
■3Dオブジェクトの研究開発などに好適
■アジャイル性の高い設計により高品質のALD成膜が可能
■パーティクルフリーの処理が可能で、あらゆる素材を適用することができる
■難易度の高い貫通する多孔質やナノ粒子のサンプルにおいても優れた均一性を実現
■機能性が高く、液体、気体、固体の 化学物質への交換が容易なプリカーサーソースを装備

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連情報

原子層堆積装置(ALD装置) R-200
原子層堆積装置(ALD装置) R-200 製品画像
■標準基板サイズと種類
・50~200mmウエハ、枚葉
・156×156mmソーラーSiウエハ
・3D形状
・粉末、粒子状物質
・ミニバッチ
・多孔質(貫通孔・未貫通孔)、高アスペクト比サンプル(最大1:2500)
■処理温度
・50~500℃、プラズマ450℃(ご要望に応じ加熱チャックにより650℃)
■標準工程
・Al2O3、TiO2、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、ZrO2、AlN、TiN、AlN、Pt及びIrなどのメタル
■基板ローディング
・エアリフターによるマニュアルローディング
・磁気マニピュレーターアームによるロードロック
・ハンドリングロボットによる半自動装着
・クラスターツールによるカセットからカセットへの装着
■プリカーサー
・液体、固体、気体、オゾン
・8か所(プラズマ仕様の場合7か所)の独立したインレットから最大12種のソース
■オプション
クラスターツール、Picoflowディフュージョン・エンハンサー、RGA、N2ジェネレーター、UHV対応、N2ジェネレータ、ガススクラバ、カスタマイズ設計、不活性ローディング対応グローブボックス

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