
・50~200mmウエハ、枚葉
・156×156mmソーラーSiウエハ
・3D形状
・粉末、粒子状物質
・ミニバッチ
・多孔質(貫通孔・未貫通孔)、高アスペクト比サンプル(最大1:2500)
■処理温度
・50~500℃、プラズマ450℃(ご要望に応じ加熱チャックにより650℃)
■標準工程
・Al2O3、TiO2、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、ZrO2、AlN、TiN、AlN、Pt及びIrなどのメタル
■基板ローディング
・エアリフターによるマニュアルローディング
・磁気マニピュレーターアームによるロードロック
・ハンドリングロボットによる半自動装着
・クラスターツールによるカセットからカセットへの装着
■プリカーサー
・液体、固体、気体、オゾン
・8か所(プラズマ仕様の場合7か所)の独立したインレットから最大12種のソース
■オプション
クラスターツール、Picoflowディフュージョン・エンハンサー、RGA、N2ジェネレーター、UHV対応、N2ジェネレータ、ガススクラバ、カスタマイズ設計、不活性ローディング対応グローブボックス