
〇100~200 mmウエハ最大50枚/バッチ
〇高アスペクト比サンプル(最大1:2500)
〇基板材料:Si、ガラス、化合物半導体各種
<処理温度と容量>
〇~300℃
〇最大1000ウエハ/24時間@膜厚15 nm Al2O3
<一般的なプロセス>
〇1桁秒~のサイクルタイム可能なバッチプロセス
〇Al2O3、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、TiO2、ZrO2、メタル
〇バッチ1%未満の1σ不均一性(Al2O3、WIW、WTW、B2B、49 pts、5mm EE)
<基板ローディング>
〇真空クラスタツールによる完全自動ロード
〇カセットからバッチへのローディング
〇オプションSMIFステーション
<主なソフトウェア機能>
〇レシピエディター:プロセスの実行中にレシピの作成と変更が可能
〇1つの通信プロトコル(Ethercat)でクラスタ全体を制御
〇マルチタスクが可能な、1/20ミリ秒のデータログレート固定ループ制御サイクル
〇リモートアクセス可能なデータロガー、全データエクスポート可能
〇工場ホストへのSECS/GEM統合