アジャイル設計により最高品質のALD成膜が可能となり、また将来的なニーズやアプリケーションにも対応できる非常に柔軟性の高いシステムとなっております。
完全に分離されたプリカーサーインレットや計測機器を備えたホットウォールデザイン(特許取得済み)により、極めて低いパーティクルレベルでの処理が可能なため、ウエハ、3次元形状物、ナノスケール形状物に幅広い素材での成膜を実現できます。
当社独自のPicoflow技術により、難易度の高いポーラス(貫通孔・未貫通孔)形状、超高アスペクト比、ナノ粒子といったサンプル表面上においても均一性に優れた成膜が可能です。
PICOSUN R-200 STARNDARDシステムには機能性が高く、交換の容易な液体・気体・固体のプリカーサーソースが装備されています。ADVANCEDシステムにはそれに加えて効率性の高いプラズマ・オプションにより短絡やダメージのリスクなしにメタル成膜が可能です。また、グローブボックスやパウダーチャンバー、及び種々のin situ分析装置を組み込むことで、お客様の現在~将来の研究開発領域における様々な課題に効率的でフレキシブルなソリューションを提供します。
基本情報
■標準基板サイズと種類
・50~200mmウエハ、枚葉
・156×156mmソーラーSiウエハ
・3D形状
・粉末、粒子状物質
・ミニバッチ
・多孔質(貫通孔・未貫通孔)、高アスペクト比サンプル(最大1:2500)
■処理温度
・50~500℃、プラズマ450℃(ご要望に応じ加熱チャックにより650℃)
■標準工程
・Al2O3、TiO2、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、ZrO2、AlN、TiN、AlN、Pt及びIrなどのメタル
■基板ローディング
・エアリフターによるマニュアルローディング
・磁気マニピュレーターアームによるロードロック
・ハンドリングロボットによる半自動装着
・クラスターツールによるカセットからカセットへの装着
■プリカーサー
・液体、固体、気体、オゾン
・8か所(プラズマ仕様の場合7か所)の独立したインレットから最大12種のソース
■オプション
クラスターツール、Picoflowディフュージョン・エンハンサー、RGA、N2ジェネレーター、UHV対応、N2ジェネレータ、ガススクラバ、カスタマイズ設計、不活性ローディング対応グローブボックス
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | IC部品 MEMSデバイス ディスプレイ LED レーザー レンズ・光学部品 ジュエリー・コイン 医療用インプラント 他 |
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PICOSUN JAPAN株式会社