最終更新日:
2024-07-02 09:47:39.0
Ni層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・はんだ接合性を評価！
近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、高密度プリント配線板に
半導体を実装したCSPやBGAなどのパッケージ基板が多く使われています。
従来、パッケージ基板にワイヤボンディング性及びはんだ接合性を確保
するため、最終表面処理として無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきが
採用されています。
しかし、両めっき皮膜において、Ni層の標準的な厚みは5μmと厚く、
銅配線間距離(ピッチ)が10μm以下の場合、パターン追従性・絶縁信頼性の
確保が困難になることが予測されます。
この問題の解決方法として、従来の接合信頼性を維持しつつNi層を
薄化する事が挙げられます。
本研究ではNi層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・
はんだ接合性を評価した結果、およびNi層薄化時の接合信頼性を改善する
新プロセスについて検討した結果を紹介します。
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