最終更新日:
2022-06-16 09:41:26.0
InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板を使用したGaAs 太陽電池
『集光型3接合 GaAs 太陽電池(3C44C 10mm)』は、
有効セル面積が10mm×10mm＝100mm2です。
基板材料はInGaP/GaInAs/Ge on Ge基板で、寸法は10.1×10.5mm±0.1mm。
セル厚みは190±20μmです。
また、接合方法は、溶接をはじめ、ハンダ付や接着が可能です。
【設計及び機械特性(抜粋)】
■基板材料：InGaP/GaInAs/Ge on Ge基板
■ARコーティング：TiOx/Al2Ox
■寸法：10.1×10.5mm±0.1mm
■有効セル面積：10mm×10mm＝100mm2
■セル厚み：190±20μm
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【その他設計及び機械特性】
■極性：N on P
■表面電極厚み：≧2.8μm(Ag/Au合金仕上げ)
■裏面電極厚み：≧2.6μm(Ag/Au合金仕上げ)
■接合方法：溶接、ハンダ付、接着
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
関連カタログ
お問い合わせ
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
株式会社理経
