最終更新日:
2023-07-31 11:44:11.0
バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、
入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。
MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、
MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。
P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの
電力制御用途によく使われています。
【ラインアップ(抜粋)】
■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S
■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D
■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4
■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D
■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170
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基本情報
【種類】
■最大電圧
■コレクタ電流
■スイッチング速度
■パッケージングタイプ など
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| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【用途】 ■可変速駆動装置 ■電力変換器 ■冷蔵庫 ■IH炊飯器 ■UPS ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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