『SRAM』は、各ビットを格納するために双安定ラッチ回路を使用する
半導体メモリの一種で、高速又は低消費電力を必要とする場合に使用されます。
トランジスタにはリークを抑えるための電力が不要なため、
定期的に更新する必要がありません。
SRAMの設計には、6つのトランジスタ(6Tメモリセル) で構成され、
コンデンサを使用しない一般的なCMOS技術プロセスが採用されています。
【特長】
■3種類の動作状態 - 保留、書き込み、読み取り
■ストレージ用の双安定(クロス結合)INV
■トランジスタMALとMARへのアクセス - 読み取り
書き込み用に保存されたデータへのアクセス
■長いデータ寿命
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基本情報
【ラインアップ(一部)】
■マイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LC1024-I/P AEC-Q100
■マイクロチップ, SRAM 256kbit, 32768 x 8ビット, 8-Pin 23K256-I/P AEC-Q100
■マイクロチップ, SRAM メモリ 256kbit, 32768 x 8ビット, 8-Pin 23K256-I/P AEC-Q100
■ISSI, SRAM 4Mbit, 256Kx16ビット, 44-Pin IS61LV25616AL-10TLI
■ISSI, SRAM 16Mbit, 1Mx16ビット, 48-Pin IS61WV102416BLL-10TLI
■ISSI, SRAM 8Mbit, 512K x16ビット, 44-Pin IS62WV51216BLL-55TLI
■Alliance Memory, SRAM 64kbit, 8kx8ビット, 28-Pin AS6C6264-55PCN
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用途/実績例 | 【用途】 ■コンピュータ ■ワークステーション ■ルータ ■LCD画面やプリンタ ■電子機器 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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