最終更新日:
2023-09-06 09:41:59.0
フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価！高速書込み、高書換え回数、低消費電力など
『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が
可能な不揮発性メモリです。
データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや
EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、
低消費電力などの特長を持っています。
CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを
搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、
コストが安価になります。
【ラインアップ(抜粋)】
■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI
■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G
■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G
■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG
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| 用途／実績例 | 【用途】 ■電気、水、ガス、熱などを測定する、さまざまな高度な電子計測システム ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
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