<特徴>
・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT
・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術
・低飽和電圧降下 (V CE(sat)
・低スイッチング損失
・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ
・RoHS対応
・JEDEC 規格準拠
・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT
・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術
・低飽和電圧降下 (V CE(sat)
・低スイッチング損失
・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ
・RoHS対応
・JEDEC 規格準拠