ダメージレス、ハイレート、大面積対応、イオンダメージを完全除去、完全ラジカル処理を実現。高性能プラズマアッシング装置
表面波プラズマ（surface Wave excited plasma)による高密度プラズマをイオン遮蔽トラップにてイオンを完全にシールド。基板にラジカルのみを供給。
高密度ラジカルによるウェット同等のダメージレスアッシングを実現。
ハイレートとダメージレスアッシングを両立。コンパクトなバッチタイプで小型基板・化合物半導体・ＭＥＭＳデバイスに対応
ＭＥＭＳ製造プロセスの有機膜犠牲層除去に優れた効果を発揮。
ハイエンドＭＥＭＳデバイスに必須のレジストアッシング装置
φ３００ｍｍの処理ステージを装備。小型基板の一括処理に対応。
レジスト・ポリイミド等有機膜・有機物の除去にＯ２によるハイレートアッシング。
基板上の有機物除去以外に基板の酸化にも対応可能。
オプションにてＨ２ガスの使用により、半田の表面酸化膜の除去も可能。
ウェハ・基板のバンプ・パッドのの表面酸化膜除去・還元クリーニングに効果
オプションにて大型ステージ（４００×５００ｍｍ）対応可能
レジスト・ポリイミド等有機膜・有機物の除去にＯ２によるハイレートアッシング。
基板上の有機物除去以外に基板の酸化にも対応可能。
オプションにてＨ２ガスの使用により、半田の表面酸化膜の除去も可能。
ウェハ・基板のバンプ・パッドのの表面酸化膜除去・還元クリーニングに効果
オプションにて大型ステージ（４００×５００ｍｍ）対応可能
| 価格情報 | 御問合せ下さい。 |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 |
化合物半導体 レジストアッシング・ディスカム・成膜前クリーニング ＭＥＭＳセンサー 有機膜犠牲層除去・ポリイミド除去 光モジュール 埋めこみレジスト除去 |
関連ダウンロード
バッチタイプＳＷＰアッシング装置
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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神港精機株式会社 東京支店
