【特徴】
○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用
○検出溝の深さが12.2mmの深溝型
○検出溝幅が8mmと広い
○その他シリーズ：フォト IC 出力タイプ KI1305，1306
○RoHS対応品をご用意
【主な仕様】
○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ
○スリット（mm）：0.8
○電気的・光学的特性（Ta=25℃）
→光電流 (mA）（min.）：0.5
→応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：15
→応答条件 (μ sec）下降 (tf）：17
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
○発光側に赤外発光ダイオード、受光側にフォトトランジスタを採用
○検出溝の深さが12.2mmの深溝型
○検出溝幅が8mmと広い
○その他シリーズ：フォト IC 出力タイプ KI1305，1306
○RoHS対応品をご用意
【主な仕様】
○パッケージタイプ：スナップインコネクタタイプ
○スリット（mm）：0.8
○電気的・光学的特性（Ta=25℃）
→光電流 (mA）（min.）：0.5
→応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：15
→応答条件 (μ sec）下降 (tf）：17
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
