【特徴】
○プレーナータイプのNPN型シリコン・フォトトランジスタチップを
メタルパッケージに組み込んだフォトトランジスタ
○高感度 NPN フォトトランジスタ（λp：900nm）
○TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性
○RoHS対応品をご用意
【主な仕様】
○電気的・光学的特性（Ta=25℃）
→ピーク感度波長(nm)： 900
→短絡電流(mA)：4
→指向角(半値)：8
→応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：2
→応答条件 (μ sec）下降 (tf）：3
○PTr
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
○プレーナータイプのNPN型シリコン・フォトトランジスタチップを
メタルパッケージに組み込んだフォトトランジスタ
○高感度 NPN フォトトランジスタ（λp：900nm）
○TO-18メタルパッケージで高性能・高信頼性
○RoHS対応品をご用意
【主な仕様】
○電気的・光学的特性（Ta=25℃）
→ピーク感度波長(nm)： 900
→短絡電流(mA)：4
→指向角(半値)：8
→応答条件 (μ sec）上昇 (tr）：2
→応答条件 (μ sec）下降 (tf）：3
○PTr
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
