サンインスツルメント株式会社

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アンプ&温度コントローラ内蔵・超小型中赤外InAsSbディテクタモジュール

最終更新日: 2022-03-09 08:28:49.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

関連情報

RoHS適合・1.6~16µm 赤外フォトディテクタ
RoHS適合・1.6~16µm 赤外フォトディテクタ 製品画像
★基本仕様★
アクティブエレメント材料: エピタキシャル超格子ヘテロ構造
カットオン波長:1.6 µm
ピーク波長:10.7 µm
カットオフ波長:15.0 µm
感度:~1.2×10^8 cm·Hz1/2/
電流応答性: ~0.7 A/W
時定数:~3ns
バイアス電圧: typ. 0.5 V
1/fノイズコーナー周波数: typ. 20 kHz
アクティブエリア:0.1 x 0.1 mm
パッケージ:TO8
入射角:~70°
ウィンドウ:wZnSeAR
波長3-12µmコンパクト・超高速赤外ディテクタ『UHSM』
波長3-12µmコンパクト・超高速赤外ディテクタ『UHSM』 製品画像
★製品情報★
モデル:UHSM-10.6
    最適波長6.0µm、受光エリア 0.05x0.05mm、感度 ≧3.0x10^8、電圧応答性 ≧3.0x10^3、-3dB帯域 300Hz to ≧1GHz
モデル:UHSM-I-10.6
    最適波長10.6µm、受光エリア 1x1mm、感度 ≧1.0x1.0^9、電圧応答性 ≧7.0x10^2、-3dB帯域 300 to ≧700MHz
波長2-12µm 小型・プラグアンドプレイ赤外ディテクタ『UM』
波長2-12µm 小型・プラグアンドプレイ赤外ディテクタ『UM』 製品画像
★製品情報★
モデル:UM-I-6
    最適波長6.0µm、受光エリア 1x1mm、感度 ≧1.5x10^10、電圧応答性 ≧3.6x10^4、-3dB帯域 DC to ≧1MHz
モデル:UM-10.6
    最適波長10.6µm、受光エリア 1x1mm、感度 ≧4.0x10^7、電圧応答性 ≧1.0x10^2、-3dB帯域 DC to ≧70MHz
モデル:UM-I-10.6
    最適波長10.6µm、受光エリア 1x1mm、感度 ≧3.7x10^8、電圧応答性 ≧6.5x10^2、-3dB帯域 DC to ≧100MHz
4チャンネル 中赤外ディテクタモジュール
4チャンネル 中赤外ディテクタモジュール 製品画像
★基本仕様★
中心波長: 3.34 µm (CH1)・4.26 µm (CH2)・4.47 µm (CH3)・4.71 µm (CH4)
フィルタ帯域 (nm):130±20 nm (CH1)・180±20 nm (CH2)・80±20 nm (CH3)・100±20 nm (CH4)
周波数帯域:DC ~ 100 kHz
ディテクタ素子:エピタキシャルInAsSbヘテロ構造
ディテクタサイズ:4×(1×1) mm
ディテクタピッチ: 45 mm
入射角:~36°
アンプ&温度コントローラ内蔵・超小型中赤外ディテクタモジュール
アンプ&温度コントローラ内蔵・超小型中赤外ディテクタモジュール 製品画像
★基本仕様 at 20℃★
ディテクタ素子:エピタキシャルInAsSbヘテロ構造
ディテクタサイズ:1×1 mm
カットオン波長:2.40 µm
ピーク波長: 4.4µm
カットオフ波長: 5.7 µm
検出感度 (D* (λpeak), cm⋅Hz^1/2/W):5.0×10^8
低域カットオフ周波数:DC
高域カットオフ周波数:3.0 MHz
電源:3.3 V
パッケージ:TO39
入射角:58°
ウィンドウ:pSiAR

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