![パワートランジスタ『CGD65B200S2』 製品画像](https://images.ipros.jp/public/product/image/e36/2001052931/IPROS67815747032613531302.png?w=140&h=140)
【スペック】
■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ
■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、
ゲートドライバおよびコントローラと互換性あり、Si MOSFET用
■ゲート駆動電圧9V~20V
■電流検出機能
■RDS(on)=200mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■ケルビン接触
■5x6mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ
■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、
ゲートドライバおよびコントローラと互換性あり、Si MOSFET用
■ゲート駆動電圧9V~20V
■電流検出機能
■RDS(on)=200mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■ケルビン接触
■5x6mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。