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パワートランジスタ『CGD65B200S2』

最終更新日: 2024-04-10 11:23:29.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

関連情報

パワートランジスタ『CGD65B200S2』
パワートランジスタ『CGD65B200S2』 製品画像
【スペック】
■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ
■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、
 ゲートドライバおよびコントローラと互換性あり、Si MOSFET用
■ゲート駆動電圧9V~20V
■電流検出機能
■RDS(on)=200mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■ケルビン接触
■5x6mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ

※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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