【スペック】
■650V?12AeモードGaNパワースイッチ
■ICeGaNゲート技術により、高いゲート閾値、広いゲート閾値を実現、
ゲート電圧ウィンドウと優れたゲート堅牢性
■ゲート駆動電圧9V~20V
■革新的なNL3無負荷、軽負荷昇圧回路効率
■電流検出機能
■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ
■RDS(on)=130mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■8x8mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
■650V?12AeモードGaNパワースイッチ
■ICeGaNゲート技術により、高いゲート閾値、広いゲート閾値を実現、
ゲート電圧ウィンドウと優れたゲート堅牢性
■ゲート駆動電圧9V~20V
■革新的なNL3無負荷、軽負荷昇圧回路効率
■電流検出機能
■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ
■RDS(on)=130mΩ
■非常に高いスイッチング周波数に適している
■8x8mm2の小さなPCB設置面積
■底面冷却型DFNパッケージ
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