テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

Samsung 3D V-NAND 構造解析レポート

最終更新日: 2024-07-19 17:31:31.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

技術・知財コンサルタントなどを行っているテックインサイツジャパン株式会社のレポートです。
【掲載内容 ※詳しくはカタログをご覧ください。】
This report is a Memory Detailed Structural Analysis (MDSA) of the K9HQGY8S5M 3D V-NAND flash memory.
The K9HQGY8S5M is the industry’s first implementation of a 32 cell vertical NAND memory and marks the departure from conventional planar flash memories.

※こちらのカタログは英語のカタログになります。

関連情報

Samsung 3D V-NAND 構造解析レポート
Samsung 3D V-NAND 構造解析レポート 製品画像
【目次】
○Executive Summary
○Device Summary
○Process Summary
○1.0 Package and die overview
○2.0 Substrate and Isolation analysis
○3.0 Representative Transistors
○4.0 Metals and Dielectrics
○5.0 Contacts and Vias
○6.0 High Voltage Transistor
○7.0 Flash Cell Analysis
○8.0 Materials Analysis
○9.0 Horizontal dimensions for array and periphery
○10.0 Vertical dimensions
○11.0 Major Findings

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※こちらのカタログは英語のカタログになります。

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