テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

最終更新日: 2024-07-19 17:31:31.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

技術・知財コンサルタントなどを行っているテックインサイツジャパン株式会社の製品カタログです。
【掲載内容 ※詳しくはカタログをご覧ください】
本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。
本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。
エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。

関連情報

メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」
メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」 製品画像
【目次】
○重要点の概要
○デバイスの概要
○プロセスの概要
○パッケージとダイ
○プロセス
○NAND フラッシュセルのレイアウトと構造解析
○EDS による材料解析
○寸法
○主な発見

●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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