【目次】
[ロジック詳細構造解析レポート]
○パッケージとダイの概要
○基板およびアイソレーション解析
○代表的なペリフェラルトランジスタ
○メタルおよび誘電体
○コンタクトおよびバイアス
○入出力トランジスタ
○SRAM (最小セルサイズ 6T または 8T)
○一部の層の材料解析
○寸法
○主な発見
[トランジスタ特性レポート]
○しきい値電圧 (線形および飽和)
○駆動電流 (IDSAT)
○リーク電流 (ゲートおよびチャネルの両方)
○サブしきい値勾配
○相互コンダクタンス
○突き抜け電圧
○プロセス利得係数
○IDS 対 VGS のグラフ
○IDS 対 VDS のグラフ
○参考クロスセクションとイメージング
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
[ロジック詳細構造解析レポート]
○パッケージとダイの概要
○基板およびアイソレーション解析
○代表的なペリフェラルトランジスタ
○メタルおよび誘電体
○コンタクトおよびバイアス
○入出力トランジスタ
○SRAM (最小セルサイズ 6T または 8T)
○一部の層の材料解析
○寸法
○主な発見
[トランジスタ特性レポート]
○しきい値電圧 (線形および飽和)
○駆動電流 (IDSAT)
○リーク電流 (ゲートおよびチャネルの両方)
○サブしきい値勾配
○相互コンダクタンス
○突き抜け電圧
○プロセス利得係数
○IDS 対 VGS のグラフ
○IDS 対 VDS のグラフ
○参考クロスセクションとイメージング
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