プロセスの概要
1.パッケージとダイ
2.プロセス
3.ReRAMセルのレイアウトと構造解析
4.EDSによる材料解析
5.クリティカルディメンション
6.メジャーファインディング
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
パナソニックのReRAM搭載 MN101LR05D 8bitマイクロコントローラのメモリーの詳細構造解析
MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで64KBのReRAM容量と4KBのSRAM容量を特徴としています。
MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー)の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。
MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに4層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から4に接続するスタックWビアの間に形成されます。
レポートの結果は走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、エネルギー分散型X線分析(TEM-EDS)、電子エネルギー損失分光法(TEM-EEKS)、および拡がり抵抗測定(SRP)のデータによるものです。
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)