テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

パナソニックReRAM 構造解析

最終更新日: 2024-07-19 17:31:31.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

パナソニックのReRAM搭載 MN101LR05D 8bitマイクロコントローラのメモリーの詳細構造解析
MN101LR05Dはポータブルヘルスケア、セキュリティ装置、センサー処理用と向けに開発された低消費電力の8bitシングルチップマイクロコントローラです。MN101LR05DはCPUコアが10MHz 8bitのAM13Lで64KBのReRAM容量と4KBのSRAM容量を特徴としています。
MR101LR05Dは世界初の量産化されたReRAM(Resistive RAM:抵抗変化型メモリー)の実用例であり、既存の不揮発性メモリーの後継技術として多く活用されるとみられています。
MN101LR05Dは180nm CMOSプロセスに4層のAIメタライゼーションを使用して製造されています。この金属酸化物のReRAMセルはメタル3から4に接続するスタックWビアの間に形成されます。
レポートの結果は走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、エネルギー分散型X線分析(TEM-EDS)、電子エネルギー損失分光法(TEM-EEKS)、および拡がり抵抗測定(SRP)のデータによるものです。

関連情報

パナソニック ReRAM 8bitマイコン 構造解析
パナソニック ReRAM 8bitマイコン 構造解析 製品画像
重要点お概要
プロセスの概要
1.パッケージとダイ
2.プロセス
3.ReRAMセルのレイアウトと構造解析
4.EDSによる材料解析
5.クリティカルディメンション
6.メジャーファインディング

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