テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート

最終更新日: 2024-07-19 17:31:29.0
デバイス設計・開発の方へ!サムスン社のNANDフラッシュの分析レポートです。デバイス動作中の重要な各信号動作を説明!

集積回路・電子システム技術・特許解析大手のセミコンダクターインサイツジャパンより、Samsung社の64 Gbit 21 nmTLC NANDフラッシュの波形解析レポートのご紹介です。この波形解析は、デバイスがいくつかの異なる標準的な動作モードで動作している時の、重要な各信号の信号動作を説明するものです。解析した部品は、Samsung21nm NAND Flashで、マイクロプローブを金属製の信号線部分に置いて、デバイスを動作させ、振動動作を記録しました。

【Samsung21nm NAND Flash】
○Samsung最新のソリッドステートドライブで使用
【観測された信号】
○グローバルワード線
○ビット線
○P-well アイソレーション
○グローバルストリングセレクト
○グローバルグランドセレクト など

その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。

基本情報

【観測内容】
○シングルプレーン LSB ページプログラム
○MSB ページプログラム
○ページ読み出し
○ブロック消去 など

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